半導(dǎo)體FAB中常見(jiàn)的檢測(cè)與量測(cè)設(shè)備產(chǎn)品分類情況

ainet.cn 2025年01月23日

量測(cè)設(shè)備有以下9類

1.關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備

通過(guò)對(duì)電子束顯微圖像進(jìn)行關(guān)鍵尺寸量測(cè)，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵工藝參數(shù)的監(jiān)控，是芯片制造過(guò)程中質(zhì)量控制的關(guān)鍵設(shè)備。

2.電子束關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備

通過(guò)先進(jìn)的電子束成像系統(tǒng)和高速硅片傳輸方案，搭配精準(zhǔn)的量測(cè)算法，實(shí)現(xiàn)高重復(fù)精度、高分辨率及高產(chǎn)能的關(guān)鍵尺寸量測(cè)。

3.套刻精度量測(cè)設(shè)備

主要用于確保不同層級(jí)電路圖形，和同一層電路圖形的正確對(duì)齊和放置。

4.晶圓介質(zhì)薄膜量測(cè)設(shè)備

通過(guò)為各種薄膜層提供高精度薄膜測(cè)量，在低于7nm的邏輯和前沿存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的工藝公差。

5.X光量測(cè)設(shè)備

可對(duì)高級(jí)3D NAND和DRAM芯片中使用的高深寬比結(jié)構(gòu)進(jìn)行高分辨率、快速、準(zhǔn)確、精確、無(wú)損的3D形狀測(cè)量，還可用于監(jiān)測(cè)和控制大批量生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵工藝步驟，以確保生產(chǎn)的穩(wěn)定性。

6.晶圓金屬薄膜量測(cè)設(shè)備

為32nm及以上的節(jié)點(diǎn)提供薄膜厚度、折射率、應(yīng)力和成分的測(cè)量，幫助晶圓廠鑒定和監(jiān)測(cè)各種薄膜層。

7.三維形貌量測(cè)設(shè)備

主要應(yīng)用于晶圓上的納米級(jí)三維形貌測(cè)量、雙/多層薄膜厚度測(cè)量、關(guān)鍵尺寸和偏移量測(cè)量，配合圖形晶圓智能化特征識(shí)別和流程控制、晶圓傳片和數(shù)據(jù)通訊等自動(dòng)化平臺(tái)。

8.薄膜膜厚量測(cè)設(shè)備

主要應(yīng)用于晶圓上納米級(jí)的單/多層膜的膜厚測(cè)量，采用橢圓偏振技術(shù)和光譜反射技術(shù)實(shí)現(xiàn)高精度薄膜膜厚、n-k值的快速測(cè)量。

9.3D曲面玻璃量測(cè)設(shè)備

主要應(yīng)用于3D曲面玻璃等構(gòu)件的輪廓、弧高、厚度、尺寸測(cè)量，采用光譜共焦技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高精度、高速度的非接觸式測(cè)量。搭載可配置的全自動(dòng)測(cè)量軟件工具和完整的測(cè)試及結(jié)果分析界面。

檢測(cè)設(shè)備主要有以下5類

1.納米圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備

主要應(yīng)用于缺陷發(fā)現(xiàn)、制程弱點(diǎn)發(fā)現(xiàn)、制程調(diào)試、工程分析、生產(chǎn)線監(jiān)控、制程窗口發(fā)現(xiàn)。

2.掩膜版缺陷檢測(cè)設(shè)備

零缺陷光罩（也稱為光掩?；蜓谀＃┦菍?shí)現(xiàn)芯片制造高良率的關(guān)鍵因素之一，因?yàn)楣庹稚系娜毕莼驁D案位置錯(cuò)誤會(huì)被復(fù)制到產(chǎn)品晶圓上面的許多芯片中。主要應(yīng)用于光罩認(rèn)證，光罩工藝控制，光罩工藝設(shè)備監(jiān)控，出廠光罩質(zhì)量檢查。

3.無(wú)圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備

主要應(yīng)用于硅片的出廠品質(zhì)管控、晶圓的入廠質(zhì)量控制、半導(dǎo)體制程工藝和設(shè)備的污染監(jiān)控。該系列的設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)圖形晶圓表面的缺陷計(jì)數(shù)，識(shí)別缺陷的類型和空間分布。

4.圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備

主要應(yīng)用于晶圓表面亞微米量級(jí)的二維、三維圖形缺陷檢測(cè)，能夠?qū)崿F(xiàn)在圖形電路上的全類型缺陷檢測(cè)。擁有多模式明/暗照明系統(tǒng)、多種放大倍率鏡頭，適應(yīng)不同檢測(cè)精度需求，能夠?qū)崿F(xiàn)高速自動(dòng)對(duì)焦，可適用于面型變化較大翹曲晶圓。